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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2N3904RL1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 200mA 60V NPN

内部编号

277-2N3904RL1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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2N3904RL1G产品详细规格

规格书 2N3904RL1G datasheet 规格书
2N3903, 04 Datasheet
2N3904RL1G datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 30/Sept/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极 - 发射极饱和电压 40 V
集电极最大直流电流 0.2 A
增益带宽产品fT 300 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 40 at 0.1 mA at 1 V
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-92-3 (TO-226)
连续集电极电流 0.2 A
最大功率耗散 625 mW
最低工作温度 - 55 C
封装 Reel
工厂包装数量 2000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 2N3904RL1GOSCT
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
引脚数 3
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 300 MHz
直流电流增益 40
集电极电流(DC ) 0.2 A
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